プレスリリース

当研究所は、今般、標記プレスリリースを実施しました。

本プレスリリースのポイントは以下のとおりです。

• 半導体ナノ結晶を用い、溶液プロセスによって理想的な光薄膜トランジスタを作製
• 光照射による同トランジスタの巨大な電流増幅を実現
• 半導体ナノ材料の活用による高性能光センサー実現の新たな可能性を示す

本研究成果に関する論文がドイツの電子材料研究に関する論文誌「Advanced Electronic Materials」に1月29日付で掲載されました。

論文名：Giant photo-induced current enhancement in a core-shell type quantum dot thin film

詳細な情報は 添付資料 をご参照下さい。