当研究所エネルギートランスフォーメーション研究本部の浅田聡志主任研究員、村田晃一上席研究員、土田秀一首席研究員らの研究グループは、高耐電圧パワーデバイスとして期待されているシリコンカーバイド（SiC）絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）に向けて、計算機シミュレーションにより、IGBTの基本要素である PiNダイオードの通電特性を高精度に再現する技術を開発しました。
本技術を適用することで、耐電圧10 kV超級のSiC-IGBTの高価な試作回数の削減や開発期間短縮につながり、半導体変圧器等の新型電力制御機器の実用化の加速が期待されます。
本成果は、2026年9月1日付（米国東部標準時間）で、米国応用物理学会が刊行するJournal of Applied Physicsに掲載されました。
詳細な情報は 添付資料 をご参照下さい。
以 上
